Энергетика образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом
На основе развития существующих термодинамических моделей эпитаксиального роста рассмотрена энергетика образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом. Предложен метод оценки величины поверхностной энергии граней при известном контактном угле. Показано существовани...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 68, № 12. С. 58-64 |
|---|---|
| Main Author: | Лозовой, Кирилл Александрович |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001291048 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Model of step propagation and step bunching at the sidewalls of nanowires
by: Filimonov, Sergey N. -
On the kinetics of the early stage of growth of III-V nanowires
by: Hervieu, Yurij Yurevich -
Эпитаксиальный рост двумерных материалов IV группы и его моделирование
by: Винарский, Владимир Петрович -
Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
by: Лозовой, Кирилл Александрович - Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией
