Энергетика образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом

Похожие документы

• Model of step propagation and step bunching at the sidewalls of nanowires
  по: Filimonov, Sergey N.
• On the kinetics of the early stage of growth of III-V nanowires
  по: Hervieu, Yurij Yurevich
• Эпитаксиальный рост двумерных материалов IV группы и его моделирование
  по: Винарский, Владимир Петрович
• Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
  по: Лозовой, Кирилл Александрович
• Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией