Влияние параметров синтеза гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge на морфологию массива квантовых точек Ge

Похожие документы

• Совершенствование технологии синтеза гетероструктур Si/Ge c квантовыми точками Ge методом молекулярно-лучевой эпитаксии
  по: Пищагин, Антон Александрович
• Синтез квантовых точек Ge на Si(100) и Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
  по: Дирко, Владимир Владиславович
• Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники
• Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions
• Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn