Влияние параметров синтеза гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge на морфологию массива квантовых точек Ge

Влияние параметров синтеза гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge на морфологию массива квантовых точек Ge

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	ВНКСФ-21 : Двадцать первая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых, Россия : материалы конференции : информационный бюллетень С. 201-202
Главный автор:	Пищагин, Антон Александрович
Другие авторы:	Серохвостов, Вячеслав Юрьевич
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	полупроводниковые гетероструктуры синтез полупроводниковых материалов квантовые точки молекулярно-лучевая эпитаксия статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000539825 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Совершенствование технологии синтеза гетероструктур Si/Ge c квантовыми точками Ge методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Пищагин, Антон Александрович

Синтез квантовых точек Ge на Si(100) и Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Дирко, Владимир Владиславович

Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники

Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions

Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn

Особенности получения квантовых точек Ge на поверхности Si (100)
по: Турапин, Алексей Михайлович

Исследование свойств гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge
по: Турапин, Алексей Михайлович

Исследование влияния основных параметров эпитаксиального роста на свойства гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
по: Серохвостов, Вячеслав Юрьевич

Температурные спектры проводимости гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge

Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике

Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста

Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si

Разработка конструкции высокоэффективного преобразователя солнечной энергии на основе полупроводниковых структур Ge/Si с квантовыми точками Ge
по: Пищагин, Антон Александрович

Спектральные характеристики системы материалов Si с квантовыми точками Ge
по: Торопов, Никита Александрович

Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Дирко, Владимир Владиславович
Публикация: (2022)

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Spectral characteristics of Si:Ge and Hg1-xCdхTe heterostructures

Зависимость темнового тока фотоприемников с квантовыми точками от разброса наноостровков по размерам

Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами

Temperature spectra of conductance of Ge/ Si p-i-n structures with Ge quantum dots

Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
по: Ишков, Арман Дмитриевич

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Surface structure of thin pseudomorphous GeSi layers
по: Nikiforov, Alexander I.

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Анализ улучшения параметров солнечных элементов на основе Si/Ge при внедрении массива квантовых точек Ge
по: Пищагин, Антон Александрович

Controlling of Ge quantum dots arrays parameters in Ge/Si nanoheterostructures grown by molecular beam epitaxy method

Direct measurement of surface stress during Bi-mediated Ge growth on Si

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Formation of Ge/Si nanoscale structures at different growth conditions by molecular beam epitaxy

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Si/Ge-based photosensitive nanoheterostructures for optical communication systems

МЛЭ гетероструктур на основе материалов A3B5 для мощных СВЧ-транзисторов
по: Журавлев, Константин Сергеевич

Проблемы получения бездефектных полупроводниковых гетероструктур методами МЛЭ
по: Пчеляков, Олег Петрович

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
по: Духан, Рахаф М. Х.