Совершенствование технологии синтеза гетероструктур Si/Ge c квантовыми точками Ge методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Совершенствование технологии синтеза гетероструктур Si/Ge c квантовыми точками Ge методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Bibliographic Details
Published in:	Материалы 53-й Международной научной студенческой конференции МНСК-2015, 11-17 апреля 2015 г. Квантовая физика С. 43
Main Author:	Пищагин, Антон Александрович
Other Authors:	Серохвостов, Вячеслав Юрьевич
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	полупроводниковые гетероструктуры молекулярно-лучевая эпитаксия статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000539828 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Влияние параметров синтеза гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge на морфологию массива квантовых точек Ge
by: Пищагин, Антон Александрович

Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники

Синтез квантовых точек Ge на Si(100) и Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Дирко, Владимир Владиславович

Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Исследование влияния основных параметров эпитаксиального роста на свойства гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
by: Серохвостов, Вячеслав Юрьевич

Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn

Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
by: Дирко, Владимир Владиславович
Published: (2022)

Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике

Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si

Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Кравцова, Наталья Сергеевна

Зависимость темнового тока фотоприемников с квантовыми точками от разброса наноостровков по размерам

Спектральные характеристики системы материалов Si с квантовыми точками Ge
by: Торопов, Никита Александрович

Разработка конструкции высокоэффективного преобразователя солнечной энергии на основе полупроводниковых структур Ge/Si с квантовыми точками Ge
by: Пищагин, Антон Александрович

Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors

Исследование свойств гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge
by: Турапин, Алексей Михайлович

Особенности получения квантовых точек Ge на поверхности Si (100)
by: Турапин, Алексей Михайлович

Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices

Температурные спектры проводимости гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge

Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии

Spectral characteristics of Si:Ge and Hg1-xCdхTe heterostructures

МЛЭ гетероструктур на основе материалов A3B5 для мощных СВЧ-транзисторов
by: Журавлев, Константин Сергеевич

Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами

Поверхностные процессы при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия

Проблемы получения бездефектных полупроводниковых гетероструктур методами МЛЭ
by: Пчеляков, Олег Петрович

Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
by: Ишков, Арман Дмитриевич

Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)
by: Кукенов, Олжас Игоревич

Электрические и оптические свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Особенности получения эпитаксиальных пленок КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Латтеган, А. Г.

Direct measurement of surface stress during Bi-mediated Ge growth on Si

Автоматизация управления испарителями в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Орликов, Николай Леонидович

Surface structure of thin pseudomorphous GeSi layers
by: Nikiforov, Alexander I.

Formation of Ge/Si nanoscale structures at different growth conditions by molecular beam epitaxy

Физика и технология гетероструктур A3B5: современное состояние и тенденции развития
by: Пчеляков, Олег Петрович

Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках

Выращивание твердых растворов GaPxAs1-x методом молекулярно-лучевой эпитаксии: механизм формирования состава в подрешетке V группы

Особенности легирования и комплексообразования при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods