Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками
Published in: | Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов", посвященная памяти профессора С. С. Горелика ; Вторая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 2-5 октября 2017 г. : тезисы докладов С. 128 |
---|---|
Main Author: | Лозовой, Кирилл Александрович |
Other Authors: | Коханенко, Андрей Павлович, Войцеховский, Александр Васильевич |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000622616 |
Similar Items
- Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
-
Разработка конструкции высокоэффективного преобразователя солнечной энергии на основе полупроводниковых структур Ge/Si с квантовыми точками Ge
by: Пищагин, Антон Александрович -
Кинетика формирования наногетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии для приборов оптоэлектроники диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Лозовой, Кирилл Александрович
Published: (2016) -
Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев
by: Лозовой, Кирилл Александрович -
Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
by: Коханенко, Андрей Павлович