Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук. 01.04.10
Главный автор: | Криворотов, Николай Павлович |
---|---|
Формат: | Книга |
Язык: | Russian |
Публикация: |
Томск
2002
|
Предметы: | |
Online-ссылка: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Похожие документы
-
Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Пономарев, Иван Викторович
Публикация: (2011) -
Исследование фотоэлектрических процессов в фотоприемниках на основе диодов Шоттки и приборов с зарядовой связью автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Уздовский, Владимир Валерьевич
Публикация: (2005) -
Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.10
по: Борисенко, Сергей Иванович
Публикация: (2004) -
Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Каменская, Ирина Валентиновна
Публикация: (2007) -
Свойства пленочных микро- и наноструктур с диэлектрическими слоями на основе оксидов редкоземельных элементов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Гурьянов, Александр Михайлович
Публикация: (2006)