Низкотемпературная технология получения эпитаксиальных структур карбид кремния на изоляторе на основе композиции "SiC-AIN" Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 05.27.06

Bibliographic Details
Main Author:	Костромин, Сергей Викторович
Format:	Book
Language:	Russian
Published:	СПб. 1997
Subjects:	Технология полупроводников и материалов электронной техники. авторефераты диссертаций.
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ


LEADER	01525nam a2200241 4500
001	vtls000042547
003	RU-ToGU
005	20210921105547.0
008	091028s1997 ru f m 00\| \| rus d
035			\|a 0045-05360
039		9	\|a 200910282131 \|c 200601031836 \|d VLOAD \|y 200511060208 \|z Александр Эльверович Гилязов
040			\|a RU-ToGU \|b rus \|c RU-ToGU \|e PSBO
100	1		\|a Костромин, Сергей Викторович. \|9 120261
245	1	0	\|a Низкотемпературная технология получения эпитаксиальных структур карбид кремния на изоляторе на основе композиции "SiC-AIN" \|b Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 05.27.06
260			\|a СПб. \|c 1997 \|9 701751
300			\|a 16 с. \|b ил.
504			\|a Библиогр.: с. 15-16
650	0	7	\|a Технология полупроводников и материалов электронной техники. \|2 БВАК1995N4 \|9 118692
653			\|a авторефераты диссертаций.
852	4		\|a RU-ToGU \|h 1-851470к \|i 62 \|n ru
856			\|y Перейти в каталог НБ ТГУ \|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=14566
999			\|c 14566 \|d 14566
952			\|0 0 \|1 0 \|4 0 \|6 1851470К \|7 0 \|9 43519 \|a RU-ToGU \|b RU-ToGU \|c 10024 \|d 2021-04-02 \|g 5000.00 \|l 0 \|o 1-851470к \|p 13820000237130 \|r 2021-04-02 \|t 1 \|w 2021-04-02 \|y 1

Similar Items