Электронные процессы на гетерогранице Ga2Se3-GaAs, сформированной обработкой GaAs в парах селена Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10.

Похожие документы

• Доменная электрическая неустойчивость в n-GaAs при неоднородном разогреве носителей автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
  по: Шабалина, Раиса Григорьевна
  Публикация: (1983)
• Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоев n-GaAs Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10
  по: Ардышев, Михаил Вячеславович
  Публикация: (2000)
• Электронные процессы в полевых гетероструктурах на основе системы Ga2Se3-Si Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10
  по: Кузьменко, Татьяна Алексеевна
  Публикация: (1998)
• Получение твердых растворов In1-хAlxSb, тонкопленочных структур на основе Ga1-хAlxAS - GaAS - Ge и исследование их свойств для преобразователей солнечной энергии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
  по: Акмурадов, Аннамурат
  Публикация: (1982)
• Энергетический спектр и электрофизические свойства переходных слоев в гетероструктурах GaAs-A2(3)B3(6) Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.10.
  по: Стрыгин, Владимир Дмитриевич
  Публикация: (1997)