Структурные дефекты в тройном полупроводниковом соединении ZnGeP2
Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 1. С. 46-49 |
---|---|
Main Author: | Титов, Константин Сергеевич |
Corporate Authors: | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников, Томский государственный университет Физический факультет Публикации студентов и аспирантов ФФ |
Other Authors: | Брудный, Валентин Натанович |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000477729 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Исследование процесса оптического пробоя кристаллов ZnGeP2 посредством цифровой голографии
- Влияние технологии постростовой обработки на порог оптического пробоя монокристалла ZnGeP2
- Численное исследование преобразования частоты излучения неселективного CO-лазера в ТГц-диапазон в кристалле ZnGeP2
- Influence of post-post processing technology and laser radiation parameters on the optical breakdown threshold of a ZnGeP2 single crystal
- The effect of volume inclusions of the ZnGeP2 single-crystal on the dispersion of the refraction index and the absorption coefficient in mid-IR and terahertz ranges of wavelengths