Электронные свойства III-N структур, включающих TlN
Published in: | Физика твердого тела : сборник материалов XIV Российской научной студенческой конференции, 13-15 мая 2014 г., Томск, Россия С. 139-141 |
---|---|
Main Author: | Морозов, Александр Викторович |
Corporate Author: | Томский государственный университет Физический факультет Публикации студентов и аспирантов ФФ |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000486268 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Исследование продуктов лазерной абляции с помощью метода псевдопотенциала
by: Копцев, А. П. -
Малопараметрические псевдопотенциалы в расчетах электронных свойств наноструктурных соединений
by: Копцев, А. П. -
Эволюция электронных состояний: атом - молекула - кластер -кристалл
by: Нявро, Александр Владиславович
Published: (2013) -
Туннелирование электронов в структурах (GaAs)n/(AlAs)m(001) с тонкими слоями
by: Караваев, Геннадий Федорович -
Самосогласованный расчет туннельного тока в нитридных структурах GaN/AlGaN(0001)
by: Разжувалов, Александр Николаевич