Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si

Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si

В работе приводятся результаты исследований адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-HgCdTe, выра-щенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных альтернативных подложках (GaAs и Si). Прове-ден анализ основных параметров МДП-структур на основе HgCdTe n- и p-типа проводимости, состава x=0.22...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 8/3. С. 269-272
Other Authors: Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Сидоров, Георгий Юрьевич, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Якушев, Максим Витальевич, Несмелов, Сергей Николаевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
МДП-структуры
молекулярно-лучевая эпитаксия
варизонные слои
теллурид кадмия-ртути
арсенид галлия
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547303

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547303

Similar Items