Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si

Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si

В работе приводятся результаты исследований адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-HgCdTe, выра-щенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных альтернативных подложках (GaAs и Si). Прове-ден анализ основных параметров МДП-структур на основе HgCdTe n- и p-типа проводимости, состава x=0.22...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 8/3. С. 269-272
Другие авторы: Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Сидоров, Георгий Юрьевич, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Якушев, Максим Витальевич, Несмелов, Сергей Николаевич
Формат: Статья в журнале
Язык:Russian
Предметы:
МДП-структуры
молекулярно-лучевая эпитаксия
варизонные слои
теллурид кадмия-ртути
арсенид галлия
статьи в журналах
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547303
Описание
Итог:В работе приводятся результаты исследований адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-HgCdTe, выра-щенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных альтернативных подложках (GaAs и Si). Прове-ден анализ основных параметров МДП-структур на основе HgCdTe n- и p-типа проводимости, состава x=0.22.
Библиография:Библиогр.: 10 назв.
ISSN:0021-3411

Похожие документы