Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si
В работе приводятся результаты исследований адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-HgCdTe, выра-щенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных альтернативных подложках (GaAs и Si). Прове-ден анализ основных параметров МДП-структур на основе HgCdTe n- и p-типа проводимости, состава x=0.22...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 8/3. С. 269-272 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547303 |