Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 55, № 9/2. С. 37-39
Главный автор:	Войцеховский, Александр Васильевич
Корпоративные авторы:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Другие авторы:	Горн, Дмитрий Игоревич
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	МДП-структуры теллурид кадмия-ртути квантовые ямы зонные диаграммы вольт-фарадные характеристики вольт-сименсные характеристики молекулярно-лучевая эпитаксия статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000472349

Описание
Библиография:	Библиогр.: 7 назв.
ISSN:	0021-3411

Похожие документы