Спектры электролюминесценции "красных" светодиодов AlGaInP/GaAs

Спектры электролюминесценции "красных" светодиодов AlGaInP/GaAs

Bibliographic Details
Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 56, № 8. С. 40-43
Corporate Authors:	Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников, Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники, Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Other Authors:	Горлачук, Павел Владимирович, Рябоштан, Юрий Леонидович, Брудный, Валентин Натанович, Прудаев, Илья Анатольевич, Романов, Иван Сергеевич, Лелеков, Михаил Александрович, Мармалюк, Александр Анатольевич 1970-
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	металлорганическая эпитаксия алюминий галлий индий фосфор квантовые ямы светодиодные структуры статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000464059

Similar Items

Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Копьев, Виктор Васильевич
Published: (2019)

Спад квантовой эффективности в структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
by: Копьев, Виктор Васильевич

Исследование вольт-фарадных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами GaInP/AlGaInP
by: Бессонов, Дмитрий Владимирович

Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
by: Давыдов, Валерий Николаевич

Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
by: Копьев, Виктор Васильевич

Effect of the barrier thickness on the optical properties of InGaN/GaN/Al2O3 (0001) LED heterostructures

Спектральные характеристики гетероструктур для светодиодов на основе твердых растворов
by: Ломов, Евгений Юрьевич

Влияние конструкции активной области AlGaInP светодиодов на низкотемпературные вольт-амперные характеристики
by: Олейник, Владимир Леонидович

Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001)

Diffusion of magnesium in LED structures with InGaN/GaN quantum wells at true growth temperatures 860-980°C of p-GaN
by: Romanov, I. S.

Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами

Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках

Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN

Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN

Двумерные материалы на основе элементов группы IIIA: развитие эпитаксиальных методов синтеза

Исследование светодиодов из AlGaInP методикой спектроскопии адмиттанса
by: Олейник, Владимир Леонидович

Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
by: Бурмистров, Евгений Романович

Pecularities of Hall effect in GaAs/δ‹Mn›/GaAs/InxGa1−xAs/GaAs (x ≈ 0.2) heterostructures with high Mn content

Анализ энергетического спектра гетероструктур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и InAs/GaAs квантовыми точками по данным емкостной спектроскопии и спектроскопии полной проводимости
by: Кузнецова, А. Н.

Исследование квантовых ям в светодиодных структурах на основе твердого раствора AlGaInP методом спектроскопии адмиттанса
by: Брудный, Павел Александрович

Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Спектры фотолюминесценции структур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Dislocation filter based on LT-GaAs layers for monolithic GaAs/Si integration

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
by: Брудный, Валентин Натанович

Технология полупроводниковых материалов учебное пособие
by: Александров, Сергей Евгеньевич
Published: (2012)

Исследование распределения электрического поля в светодиодах из AlGaInP методом зонда Кельвина

Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Структура и стабильность реконструированной поверхности GaAs(001)
by: Еремеев, Сергей Владимирович

Влияние морфологии гетерограниц на транспорт двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами

Термодинамика взаимодействия редкоземельных металлов с PI-элементами третьей группы таблицы Менделеева диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук
by: Дегтярь, Валерий Аронович
Published: (1971)

Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки

Comparative analysis of efficiency droop in InGaN/GaN lightemitting diodes for electrical and optical pumping conditions
by: Kopyev, Viktor V.

Физико-химические свойства сплавов редкоземельных металлов с 3P-металлами Диссертация на соискание ученой степени доктора химических наук. 02.00.04
by: Новоженов, Владимир Антонович
Published: (2004)

Эффективность встраивания фосфора из потока молекул P2 (P4) при молекулярно-лучевой эпитаксии GaP

Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C
by: Романов, Иван Сергеевич

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Низкотемпературные вольт-амперные характеристики AlGaInP светодиодов

Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
by: Караваев, Геннадий Федорович

Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
by: Войцеховский, Александр Васильевич