Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10

Bibliographic Details
Main Author: Денисов, Юрий Алексеевич
Corporate Author: Томский государственный университет
Format: Book
Language:Russian
Published: Томск 1998
Subjects:
Online Access:Перейти в каталог НБ ТГУ
LEADER 01765nam a2200265 4500
001 vtls000036043
003 RU-ToGU
005 20210910113044.0
008 091028 1998 ru m 00| | rus d
035 |a 0038-21560 
039 9 |a 200910282103  |c 200601031215  |d VLOAD  |y 200511052354  |z Александр Эльверович Гилязов 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU  |e PSBO 
100 1 |a Денисов, Юрий Алексеевич.  |9 124217 
245 1 0 |a Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии  |b Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10 
260 |a Томск  |c 1998  |9 687986 
300 |a 22 с.  |b ил. 
504 |a Библиогр.: с. 20-22 
650 7 |a Физика полупроводников и диэлектриков  |2 БВАК1995N4  |9 56418 
653 |a авторефераты диссертаций. 
710 2 |a Томский государственный университет.  |9 53646 
852 4 |a RU-ToGU  |h 1-852618к  |i 53  |n ru 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=21741 
999 |c 21741  |d 21741 
952 |0 0  |1 0  |4 0  |6 1852617  |7 0  |9 62124  |a RU-ToGU  |b RU-ToGU  |c 10024  |d 2021-04-02  |g 5.00  |l 0  |o 1-852617  |p 13820000031339  |r 2021-04-02  |t 1  |w 2021-04-02  |y 4 
952 |0 0  |1 0  |4 0  |6 1852618К  |7 0  |9 62125  |a RU-ToGU  |b RU-ToGU  |c 10024  |d 2021-04-02  |g 5.00  |l 0  |o 1-852618к  |p 13820000031340  |r 2021-04-02  |t 2  |w 2021-04-02  |y 1