Карбид кремния на кремнии (110): структура поверхности и механизмы эпитаксиального роста
Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 56, № 12. С. 106-111 |
---|---|
Corporate Author: | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников |
Other Authors: | Никитина, Лариса Николаевна, Эрвье, Юрий Юрьевич, Suemitsu, Maki, Филимонов, Сергей Николаевич, Sambonsuge, Shota |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000470578 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Компьютерное моделирование начальных стадий роста карбида кремния на кремнии из монометилсилана
by: Петраков, Владислав Александрович -
Electronic structure and the local electroneutrality level of SiC polytypes from quasiparticle calculations within the GW approximation
by: Brudnyi, Valentin N. -
Перераспределение примеси в процессе эпитаксиального роста кремния
by: Хрипко, С. Л. -
Исследования газового травления подложек GaAs при гетероэпитаксии InP/GaAs
by: Козлов, С. А. - Рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния