Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев

Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев

Bibliographic Details
Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 55, № 9/2. С. 17-20
Main Author:	Лозовой, Кирилл Александрович
Corporate Authors:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
Other Authors:	Коханенко, Андрей Павлович, Войцеховский, Александр Васильевич
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	квантовые точки кремний германий наногетероструктуры молекулярно-лучевая эпитаксия статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000472342

Similar Items

Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Параметры массива квантовых точек германия на кремнии в зависимости от условий роста

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
by: Коханенко, Андрей Павлович

Кинетика формирования наногетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии для приборов оптоэлектроники диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Лозовой, Кирилл Александрович
Published: (2016)

Рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния

Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками
by: Лозовой, Кирилл Александрович

К расчету параметров самоорганизующихся наноостровков германия на кремнии
by: Лозовой, Кирилл Александрович

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации

Влияние удельной энергии ребер на параметры массива квантовых точек германия на кремнии
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Моделирование кинетики формирования клиновидных квантовых точек германия на кремнии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Влияние удельной энергии ребер на величину активационного барьера нуклеации при росте квантовых точек германия на кремнии
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Солнечные элементы на основе квантовых структур кремний-германий
by: Кравцова, Наталья Сергеевна

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Оптоэлектронные элементы на основе материальной системы кремний - германий с квантовыми точками германия
by: Кравцова, Наталья Сергеевна

Admittance Spectroscopy for the Research of Germanium-on-Silicon Quantum Dot Structures Parameters

Исследование характеристик наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками методом адмиттансной спектроскопии

Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
by: Ишков, Арман Дмитриевич

Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста

Зависимость упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте германия на кремнии
by: Коханенко, Андрей Павлович

Обобщенная кинетическая модель роста двумерных и нульмерных структур кремния и германия
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники

Growth of germanium quantum dots on oxidized silicon surface

Двунаправленный фототок дырок в слоях квантовых точек Ge/Si

Моделирование кремниевого p-i-n-фотодиода со встроенными слоями квантовых точек германия с помощью «TCAD Sentaurus»

Моделирование процессов роста квантовых точек пирамидальной и клиновидной формы в системе GexSi1-x/Si с учетом различных энергетических факторов
by: Лозовой, Кирилл Александрович

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Расчет шумовых и сигнальных характеристик фотодетекторов с квантовыми точками германия на кремнии
by: Коханенко, Андрей Павлович

Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
by: Кукенов, Олжас Игоревич

Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур
by: Гнеушев, Анатолий Владимирович

Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
by: Kokhanenko, Andrey P.