Деформационные потенциалы в сверхрешетке (AIAs)1(GaAs)3

Деформационные потенциалы в сверхрешетке (AIAs)1(GaAs)3

Bibliographic Details
Published in:	Физика твердого тела : материалы VIII Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 2002 г. С. 67-68
Main Author:	Никитина, Лариса Николаевна
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	физика полупроводников физика диэлектриков сверхрешетки потенциалы
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Электронная структура и деформационные потенциалы ультратонких сверхрешеток
by: Никитина, Лариса Николаевна

Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AIAs)n диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Никитина, Лариса Николаевна
Published: (2011)

Междолинные деформационные потенциалы в сверхрешетках (AlAs)n (GaAs)m (001)
by: Никитина, Лариса Николаевна

Динамика короткопериодичныхсверхрешеток GaSb/AlSb
by: Бауман, И.

Закономерности междолинного рассеяния в ультратонких сверхрешетках (AlAs)n (GaAs)m
by: Никитина, Лариса Николаевна

Адсорбция кремния на поверхности (110) GaAs
by: Абрамов, Б. А.

Использование поверхности (311)B GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии сверхрешеток GaAs/AlAs

Получение свободных монокристаллических пленок в системе Bi-Ga-Al-As/GaAs
by: Оскомова, Н. В.

Исследование контакта Au-ZrN-n- GaAs с барьером Шоттки

Фоновые спектры сверхрешеток (Ga1-xAlxAs)m (GaAs)n
by: Прыкина, Елена Николаевна

Энергетический спектр и электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs

Влияние температуры и электрического поля на фотоэлектрические спектры гетеронаноструктур с квантовыми точками InAs/GaAs
by: Гладышев, Е. Е.

Построение графической модели излома элементарной ступени на поверхности GaAs (111)
by: Бурмистрова, В. А.

Влияние реконструкции поверхности GaAs(001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии
by: Попов, А. В.

Исследование шумов в детекторах на основе GaAs компенсированного хромом
by: Шатров, А. Н.

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе GaAs
by: Нетудыхатко, А. В.

Компьютерное графическое моделирование излома элементарной ступени на поверхности GaAs(100)
by: Шилова, Т. А.

Междолинное рассеяние на интерфейсных М фононах в сверхрешетках (GaAs)м(AlAs)n
by: Никитина, Лариса Николаевна

Анализ рассеяния электронов на ионах примеси в сверхрешетке типа GaAs/AlxGa1-xAs
by: Борисенко, Сергей Иванович

Диффузия Fe в GaAs при давлении диссоциации
by: Прудаев, Илья Анатольевич

Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (AlAs)n(GaAs)m
by: Никитина, Лариса Николаевна

Электронные процессы на гетерогранице Ga2Se3-GaAs, сформированной обработкой GaAs в парах селена Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10.
by: Сумец, Максим Петрович
Published: (1999)

Исследование влияния электрофизических и конструктивных параметров на эффективность фотоэлектрических параметров на эффективность фотоэлектрических преобразователей в системе AlGaAs/GaAs
by: Лошманов, Д. А.

Параметры детекторов из эпитаксиального GaAs, компенсированного хромом
by: Пономарев, Иван Викторович

Колебательные спектры и плотность фононных состояний монослойной сверхрешетки (GaSb)1(AlSb)1
by: Прыкина, Елена Николаевна

Влияние параметров сверхрешетки типа GaAs/AlxGa1-xAs на акустическое рассеяние квазидвумерных электронов
by: Борисенко, Сергей Иванович

Удвоения частоты осцилляций зеркального рефлекса картины дифракции быстрых электронов на отражение при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs
by: Ващенко, В. П.

Кинетика фотолюминесценции двумерного электронного газа в гетероструктуре GaN/AlGaN
by: Коржавина, Н. С.

Исследования вицинальных поверхностей эпитаксиальных слоев GaAs(001), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
by: Анисимова, Любовь Леонидовна

Исследование методом атомно-силовой микроскопии влияния технологических обработок на состояние поверхности GaAs (100)
by: Тюхрин, Т. С.

Рекомбинация экситонов, связанных на донорно-акцепторных парах, в δ-легированных GaAs/AlAs сверхрешетках второго ряда

Влияние водорода на электрические характеристики структур Pd-GaAs
by: Димеев, В. И.

Фотолюминесценция структур с GaN квантовыми точками в матрице AlN
by: Ри, Д. Д.

Вид амплитудного спектра детекторов на основе GaAs, компенсированного Cr, при взаимодействии с моноэнергетическим гамма-излучением
by: Самардакевич, Е. В.

Эволюция электронного химпотенциала в кристаллах GaAs, облученых электронами
by: Боровской, А. Н.

Влияние температуры роста и отношения потоков As/Ga на электрофизические свойства слоев легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах
by: Цаплин, В. Б.

Исследование оптических и фотоэлектрических свойств детекторных структур на основе эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs
by: Беспальков, М. А.

Исследование рельефа и поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок GaAs методом атомно-силовой микроскопии

Доменная электрическая неустойчивость в n-GaAs при неоднородном разогреве носителей автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Шабалина, Раиса Григорьевна
Published: (1983)

Получение твердых растворов In1-хAlxSb, тонкопленочных структур на основе Ga1-хAlxAS - GaAS - Ge и исследование их свойств для преобразователей солнечной энергии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Акмурадов, Аннамурат
Published: (1982)