Электронно-микроскопические методы декодирования кристаллических поверхностей

Электронно-микроскопические методы декодирования кристаллических поверхностей

Bibliographic Details
Published in:	Физика твердого тела : материалы IX Российской научной студенческой конференции, 12-14 мая 2004 г. С. 87-88
Main Author:	Морозова, Т. В.
Other Authors:	Черемисина, В. Г.
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	физика полупроводников физика диэлектриков декодирование кристаллические поверхности
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Исследование поверхности микрокристаллов AgBr октаэдрического габитуса методом декодирования
by: Черемисина, В. Г.

Структура решетки соединений типа A2/3B5/2
by: Кириенко, Т. П.

Исследование морфологии поверхности эпитаксиальных слоев InAs, выращенных методом ГФЭ
by: Анисимова, Любовь Леонидовна

Влияние условий кристаллизации на структуру эмульсионных микрокристаллов AgBr
by: Созинов, С. А.

Электронно-микроскопическое исследование образования наночастиц серебра на поверхности микрокристаллов AgBr
by: Морозова, Т. В.

Применение сканирующей туннельной микроскопии для исследования ростовых поверхностей полупроводников
by: Хруль, М. В.

Исследования вицинальных поверхностей эпитаксиальных слоев GaAs(001), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
by: Анисимова, Любовь Леонидовна

Движение дислокаций при отжиге
by: Соловьева, Т. И.

Получение и исследование пленок ZnGeP2
by: Малышев, T. А.

Пространственное размещение структурных подрешеток в кристаллах со структурой AIPS4
by: Николаева, Е. В.

Влияние температуры и электрического поля на фотоэлектрические спектры гетеронаноструктур с квантовыми точками InAs/GaAs
by: Гладышев, Е. Е.

Начальная стадия формирования 3D-островков при эпитаксии по механизму Фольмера-Вебера
by: Тюрин, К. Г.

Фотолюминесценция структур с GaN квантовыми точками в матрице AlN
by: Ри, Д. Д.

Исследование температурной зависимости проводимости аморфных полупроводников
by: Перминов, А. В.

Нанокристаллическая фаза в феноменологических моделях аморфного кремния
by: Орлов, А. В.

Установка для плазмохимического формирования покрытий большой площади
by: Федоров, М. В.

Влияние реконструкции поверхности GaAs(001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии
by: Попов, А. В.

Влияние содержания кислорода на свойства тонких пленок SnO2
by: Воронянский, В. А.

Исследование структуры и свойств радиационных дефектов в глицине методом двойного электронно-ядерного резонанса автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Тесленко, Владимир Владимирович
Published: (1976)

Исследование механизмов роста углеродных нанотрубок на различных прекурсорах
by: Петров, М. А.

Исследование контакта Au-ZrN-n- GaAs с барьером Шоттки

Микродвойникование в соединении Cd6P7
by: Кунакова, Н. А.

Исследования поликристаллов кремния
by: Малышев, И. А.

Определение характеристик светоизлучающих диодов
by: Незнамова, Ю. О.

Химическая связь в карбонате рубидия
by: Федоров, Игорь Александрович

Распространение темных фотовольтаических пространственных солитонов в планарном волноводе на ниобате лития
by: Бородин, Максим Викторович

Кинетика фотолюминесценции двумерного электронного газа в гетероструктуре GaN/AlGaN
by: Коржавина, Н. С.

Электрические характеристики контактов "металл - полупроводник" сложного состава
by: Захаров, Д. Н.

Адсорбция кремния на поверхности (110) GaAs
by: Абрамов, Б. А.

Деформационные потенциалы в сверхрешетке (AIAs)1(GaAs)3
by: Никитина, Лариса Николаевна

Особенности кинетики формирования отклика при воздействии водорода и метана на тонкие пленки Pt/SnO2:Sb
by: Мазалов, С. М.

Наноструктуры для светодиодов
by: Стасюк, О. Ю.

Физика твердого тела сборник материалов XI Российской научной студенческой конференции, 13-15 мая 2008 г., Томск, Россия
Published: (2008)

Дифракционные характеристики записи наложенных голограмм в фотополимерных материалах: теория и эксперимент
by: Кузнецов, В. В.

Построение графической модели излома элементарной ступени на поверхности GaAs (111)
by: Бурмистрова, В. А.

Компьютерное графическое моделирование излома элементарной ступени на поверхности GaAs(100)
by: Шилова, Т. А.

Процесс спонтанной сенсибилизации микрокристаллов AgBr(111)
by: Колесникова, И. Л.

Импеданс полистирольных композитов, содержащих углеродные нанолуковичные структуры, в диапазоне от 500 Гц до 500 кГц

Электропроводность кристаллов фуллерена C60 в условиях многоступенчатого динамического сжатия до 300 кбар

Деградация формованных структур Mo-SiO2+C-Al
by: Сахаров, Юрий Владимирович