Фотоэлектрические инфракрасные детекторы с управляемой спектральной характеристикой

Фотоэлектрические инфракрасные детекторы с управляемой спектральной характеристикой

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Вестник Томского государственного университета № 285 : Серия "Физика". С. 164-171
Главный автор:	Войцеховский, Александр Васильевич
Корпоративные авторы:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Другие авторы:	Несмелов, Сергей Николаевич
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	физика полупроводников полупроводники детекторы инфракрасные детекторы фотоэлектрические детекторы спектральные характеристики фотоприемники гетероструктуры Шоттки барьер квантовые ямы электрофизические свойства фотоэлектрические свойства гетероэпитаксия приповерхностные слои труды ученых ТГУ статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328942 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Инфракрасные детекторы
по: Рогальский, Антоний
Публикация: (2003)

Детекторы терагерцового излучения

Electrophysical characteristics of Sub-THz diode with Schottky barrier
по: Moskalenko, Victoriya D.

Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si

Детекторы ИК-диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si

Детектор терагерцового диапазона на диоде Шоттки
по: Пидотова, Диана Андреевна

Детекторы инфракрасного диапазона на основе микроэлектромеханических систем

Влияние напряжения на время переключения фотоэлектрического ключа HGPCSS на основе GaAs, легированного глубокими центрами
по: Верхолетов, Максим Георгиевич

Spectral characteristics of Si:Ge and Hg1-xCdхTe heterostructures

Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом

Solar-blind ultraviolet detectors based on high-quality HVPE α-Ga2O3 films with giant responsivity

Investigation of the persistence conductivity and photoelectric characteristics in detectors with interdigital electrodes based on β-Ga2O3

Расчет параметров инфракрасных фотоприемников с квантовыми точками учебно-методическое пособие : для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов
Публикация: (2023)

Фундаментальные ограничения фотонных и тепловых детекторов ИК-диапазона
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors

Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL2
по: Верхолетов, Максим Георгиевич

Высокочувствительные фотонные и тепловые детекторы ИК-диапазона
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS - GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Лупин, Владимир Михайлович
Публикация: (1974)

GaAs детекторы ионизирующих излучений
по: Толбанов, Олег Петрович

Спектральные характеристики гетероструктур для светодиодов на основе твердых растворов
по: Ломов, Евгений Юрьевич

Parameters comparison between quantum dot infrared detectors of Ge/Si and HgCdTe detectors
по: Douhan, Rahaf M. H.

Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона

Comparative study of SI GaAs detectors with Schottky barriers and epitaxial hing-doped layers

Экспериментальное исследование барьерных NBvN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях

Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками

Импульсная фотометрия сборник статей
Публикация: (1975)

Импульсная фотометрия сборник статей
Публикация: (1981)

Исследование электрофизических и фотоэлектрических свойств GaSe:S
по: Диков, Д. Е.

Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе варизонного HgCdTe
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Сцинтилляционные детекторы
по: Медведев, Михаил Николаевич
Публикация: (1977)

Детекторы ионизирующих частиц и излучений. Принципы и применения учебное пособие
по: Болоздыня, Александр Иванович
Публикация: (2012)

Фотоэлектрические свойства неоднородных SiSiO2-структур
по: Соколов, В. Н.

Разработка методик и аппаратуры для исследования МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe, созданного методом МЛЭ

Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона

Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса

Радиационные эффекты в ИК фотонных детекторах на основн КРТ
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Кремний-литиевые детекторы ядерного излучения
Публикация: (1981)

Детекторы элементарных частиц
по: Групен, Клаус
Публикация: (1999)

Детекторы корпускулярных излучений
по: Клайнкнехт, Конрад
Публикация: (1990)

Быстродействующие матричные детекторы субмиллиметрового излучения