Влияние условий роста на морфологию поверхности эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Влияние условий роста на морфологию поверхности эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Физика твердого тела : материалы IX Российской научной студенческой конференции, 12-14 мая 2004 г. С. 109-110
Другие авторы:	Шилова, Т. А., Новиков, Владимир Александрович, Семягин, Борис Рэмович, Щеглов, Д. Н.
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	физика полупроводников физика диэлектриков труды ученых ТГУ эпитаксиальные слои молекулярно-лучевая эпитаксия
Online-ссылка:	Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Исследования вицинальных поверхностей эпитаксиальных слоев GaAs(001), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
по: Анисимова, Любовь Леонидовна

Фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев InGaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией
по: Полтавец, И. Ю.

Исследование фотоэлектрических свойств эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Ходкевич, Д. В.

Особенности получения эпитаксиальных пленок КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Латтеган, А. Г.

Влияние условий зарождения пленок GaN на их полярность при молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Хамзин, Т. Х.

Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок теллурида кадмия ртути, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Ходкевич, Д. В.

Исследование фотоэлектрических свойств эпитаксиальных пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Чарыков, И. В.

Морфология поверхности эпитаксиальных слоев арсенида галия, выращенных на вициналях φ0(111)А и φ0(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Анисимова, Любовь Леонидовна

Исследование процессов роста слоев InGaAs при низкотемпературной молекулярно-пучковой эпитаксии
по: Круогла, Е. К.

Облучение высокоэнергетическими электронами эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Григорьев, Денис Валерьевич

Влияние начальных условий роста на полярность слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Al2O3(0001)

Влияние температуры роста и отношения потоков As/Ga на электрофизические свойства слоев легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах
по: Цаплин, В. Б.

Фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ
по: Волков, А. И.

Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Кравцова, Наталья Сергеевна

Разработка ИК-фотоприемников на основе эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Влияние температуры подложки и скорости роста на состав твердого раствора GaPxAs1-x при молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Круглов, А. С.

Удвоения частоты осцилляций зеркального рефлекса картины дифракции быстрых электронов на отражение при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs
по: Ващенко, В. П.

Автоматизация управления испарителями в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Орликов, Николай Леонидович

Исследование морфологии поверхности эпитаксиальных слоев InAs, выращенных методом ГФЭ
по: Анисимова, Любовь Леонидовна

Влияние электронного пучка дифракции быстрых электронов на морфологию поверхности гетероструктур CaF2/Si(100)
по: Остертак, Д. И.

Электрофизические свойства эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, после низкоэнергетического ионного воздействия
по: Волков, В. С.

Электрические и оптические свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах

Фоновое ограничение фотоэлектрических параметров эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ
по: Филатов, Михаил Федорович

Влияние реконструкции поверхности GaAs(001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии
по: Попов, А. В.

Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10
по: Денисов, Юрий Алексеевич
Публикация: (1998)

Влияние реконструкции поверхности GaAs (001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии
по: Попова, А. В

Рентгенотопографические исследования дислокационной структуры эпитаксиальных слоев GeSi, выращенных на вицинальных подложках Si (001)

Особенности формирования профиля распределения электрически активных радиационных дефектов при ионной имплантации эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Вентильный источник фосфора для молекулярно-лучевой эпитаксии на основе термического разложения InP: конструкция, характеристики, применение

Интегральные схемы на основе арсенида галлия, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Использование поверхности (311)B GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии сверхрешеток GaAs/AlAs

Влияние плотности потока молекул As2 и As4 на свойства слоев нелегированного и легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах

Исследование оптических и фотоэлектрических свойств детекторных структур на основе эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs
по: Беспальков, М. А.

Электрические характеристики эпитаксиальных p-i-n структур из арсенида галия для детекторов ионизирующих излучений
по: Димеев, В. И.

Исследование ростовых поверхностей вицинальных ᶲº(001) граней GaAs, выращенных МЛЭ при низкой температуре

Измерение фотоэлектрических свойств эпитаксиальных пленок КРТ
по: Усманов, С. Р.

Исследование фотоэлектрических свойств пленок КРТ, выращенных МЛЭ
по: Шумкин, С. В.

Получение твердых растворов GaPxAs1-x, InPxAs1-x, InyGa1-yPxAs1-x, на GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Особенности легирования и комплексообразования при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs

Получение и исследование свойств эпитаксиальных слоев GaN, выращенных мос-гидричным методом на подложках сапфира с использованием различных буферных слоев