Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок теллурида кадмия ртути, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Published in: | Физика твердого тела : материалы IX Российской научной студенческой конференции, 12-14 мая 2004 г. С. 100-102 |
---|---|
Main Author: | Ходкевич, Д. В. |
Other Authors: | Григорук, А. В., Филатов, Михаил Федорович |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Измерение спектральных характеристик эпитаксиальных пленок теллурида кадмия ртути
by: Усманов, С. Р. -
Фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ
by: Волков, А. И. -
Разработка ИК-фотоприемников на основе эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Войцеховский, Александр Васильевич -
Исследование фотоэлектрических свойств эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Ходкевич, Д. В. - Радиационные эффекты в кристаллах теллурида кадмия-ртути