Гетероструктура ZnS - GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Гетероструктура ZnS - GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Bibliographic Details
Main Author:	Атакова, М. М.
Corporate Authors:	Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Томский государственный университет
Other Authors:	Рамазанов, Павел Ефимович 1923-1990 (Thesis advisor)
Format:	Book
Language:	Russian
Published:	Томск [б. и.] 1974
Subjects:	диссертации полупроводниковые гетероструктуры гетероструктуры арсенидгаллиевые полупроводники высокоомные диэлектрики высокоомные гетероструктуры сульфида цинка на арсениде галлия ZnS-GaAs, гетероструктуры эпитаксиальные слои сульфида цинка фоточувствительность ZnS-GaAs гетероструктур
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Некоторые свойства гетеропереходов ZnS - GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Кузнецов, М. Ф.
Published: (1969)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS - GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Лупин, Владимир Михайлович
Published: (1974)

Собственно-дефектные центры люминесценции в ZnS, легированном S, O, Ag диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.05
by: Швецов, Юрий Васильевич
Published: (1988)

Microplasma breakdown in GaAs-based avalanche S-diodes doped with deep Fe acceptors
by: Prudaev, Ilya A.

Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона
Published: (2001)

Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ
by: Лаврентьева, Людмила Германовна 1931-2008

Исследование релаксации объемного заряда при электролюминисценции ZnS - Cu фосфоров диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Левина, Вера Борисовна
Published: (1972)

Исследование времени задержки лавинных S-диодов на основе GaAs с глубокими примесными центрами
by: Гальченко, Регина Аркадьевна

Формирование наноразмерных T-образных затворов с использованием метода направленного углового напыления тонких пленок алюминия
by: Кулинич, Иван Владимирович

Исследование люминесцентных и электрических свойств монокристаллов ZnS, ионно-имплантированных компонентами соединения диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.05
by: Дементьев, Б. П.
Published: (1978)

Ir reflection spektra of multilayered epitaxial heterostructures with embedded nanolayers GaAs and InAs

Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg

Исследование влияния режимов выращивания и легирования активной области Ик-диодов на основе GaAs(Si) на эффективность излучения
by: Гущин, Сергей Михайлович

Автоматизация вакуумной обработки GaAs фотокатодов в промышленной установке сборки приборов

Некоторые исследования электрических свойств и электролюминесценции монокристаллов Zn8, активированных марганцем и медью диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Чернявский, Борис Григорьевич
Published: (1967)

Электрофизические характеристики гетероструктур Ga2O3/GaAs, полученные методом анодного окисления
by: Таллер, Елена Викторовна

Влияние модификации покровного слоя на свойства водородочувствительных диодных квантово-размерных гетероструктур Pd/GaAs/InGaAs

Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

Электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-TiO2/n-GaP
by: Брус, Виктор Васильевич

Оптические гетероструктуры. Новая теория и расчет
by: Лапшин, Борис Алексеевич
Published: (2012)

Electrical conductive and photoelectrical properties of heterostructures based on gallium and chromium oxides with corundum structure

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Учебно-методическое пособие для практических занятий студентов по дисциплине "Физика низкоразмерных структур"
by: Симунин, Михаил Максимович
Published: (2011)

GaAs/InGaAs микро-, нанотрубки и перспективы их применения в микромеханике и биологии
by: Принц, Александр Викторович

Modification of electrophysical parameters of HgCdTe epitaxial heterostructures under the action of a pulsed nanosecond discharge in gas environment at atmospheric-pressure

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

1D and 2D low-dimensional systems of charged particles in a dielectric exposed to ion or electron beam
by: Vaisburd, David I. 1937-2009

Комбинированное облучение гетероструктур AlGaAs
by: Градобоев, Александр Васильевич

Кристаллы СИД на основе гетероструктур GaAlAs

Устройства выборки и хранения с двухтактным стробированием на основе гетероструктур A3B5
by: Старосельский, Виктор Игоревич 1938-2007

Электропроводящие и фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе оксидов галлия и хрома со структурой корунда

Исследование возможности создания мощного излучающего диода ИК-диапазона на основе одинарной гетероструктуры GaAs-AlGaAs

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Свойства фотодетекторов на гетероструктурах Ga2O3/ZnGeP2
by: Подзывалов, Сергей Николаевич

Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions

Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn

Диагностика включений в кристаллах ZnGeP2 методом терагерцовой спектроскопии

XL-смешивание при туннелировании электронов в структурах AlAs/GaAs (111)
by: Караваев, Геннадий Федорович

Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке