Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Bibliographic Details
Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 55, № 8/3. С. 69-70
Main Author:	Дзядух, Станислав Михайлович
Corporate Authors:	Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
Other Authors:	Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	МДП-структуры теллурид кадмия-ртути варизонные слои молекулярно-лучевая эпитаксия статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000444324

Similar Items