Моделирование кинетики формирования клиновидных квантовых точек германия на кремнии

Моделирование кинетики формирования клиновидных квантовых точек германия на кремнии

Bibliographic Details
Published in:	Известия Российской академии наук. Серия физическая Т. 78, № 10. С. 1312-1316
Main Author:	Войцеховский, Александр Васильевич
Corporate Authors:	Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
Other Authors:	Коханенко, Андрей Павлович, Лозовой, Кирилл Александрович
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	квантовые точки германий молекулярно-лучевая эпитаксия моделирование статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493218

Similar Items

Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Параметры массива квантовых точек германия на кремнии в зависимости от условий роста

К расчету параметров самоорганизующихся наноостровков германия на кремнии
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Солнечные элементы на основе квантовых структур кремний-германий
by: Кравцова, Наталья Сергеевна

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
by: Коханенко, Андрей Павлович

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Оптоэлектронные элементы на основе материальной системы кремний - германий с квантовыми точками германия
by: Кравцова, Наталья Сергеевна

Зависимость упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте германия на кремнии
by: Коханенко, Андрей Павлович

Рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния

Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Обобщенная кинетическая модель роста двумерных и нульмерных структур кремния и германия
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Особенности получения квантовых точек Ge на поверхности Si (100)
by: Турапин, Алексей Михайлович

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Кинетика формирования наногетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии для приборов оптоэлектроники диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Лозовой, Кирилл Александрович
Published: (2016)

Синтез квантовых точек Ge на Si(100) и Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Дирко, Владимир Владиславович

Влияние параметров синтеза гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge на морфологию массива квантовых точек Ge
by: Пищагин, Антон Александрович

Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
by: Kokhanenko, Andrey P.

Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
by: Lozovoy, Kirill A.

Generalized Muller-Kern formula for equilibrium thickness of a wetting layer with respect to the dependence of the surface energy of island facets on the thickness of the 2D layer
by: Lozovoy, Kirill A.

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Elongated quantum dots of Ge on Si growth kinetics modeling with respect to the additional energy of edges

Влияние удельной энергии ребер на параметры массива квантовых точек германия на кремнии
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
by: Духан, Рахаф М. Х.

Влияние удельной энергии ребер на величину активационного барьера нуклеации при росте квантовых точек германия на кремнии
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Зависимость темнового тока фотоприемников с квантовыми точками от разброса наноостровков по размерам

Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике

Dislocation filter based on LT-GaAs layers for monolithic GaAs/Si integration

Structural properties and energy spectrum of novel GaSb/AlP self-assembled quantum dots

Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова