Закономерности легирования и формирования примесно-вакансионных комплексов в условиях газофазовой эпитаксии арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Библиографическая информация
Главный автор:	Бобровникова, Ирина Анатольевна
Соавтор:	Томский государственный университет
Формат:	Электронная книга
Язык:	Russian
Публикация:	Томск [б. и.] 1989
Предметы:	Физика полупроводников и диэлектриков диссертации арсенид галлия, эпитаксия эпитаксия газофазовая арсенид галлия, примеси арсенид галлия легированный комплексы внедрения, формирование примесные зоны полупроводников физика поверхности полупроводников полупроводники арсенидгаллиевые
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000403598 Перейти в каталог НБ ТГУ


LEADER	02712nam a2200469 c 4500
001	vtls000403598
005	20230319184643.0
006	m fo d
007	cr \|
008	110324s1989 ru a fsbm 000 0 rus d
035			\|a to000403598
039		9	\|c 201609161735 \|d cat31 \|c 201103280953 \|d cat03 \|c 201103251517 \|d cat31 \|y 201103241214 \|z Александр Эльверович Гилязов
040			\|a RU-ToGU \|b rus \|c RU-ToGU
072		7	\|a 01.04.10 \|2 nsnr
080			\|a 546.681'191.1:541.572.53:548.25(043.3)
080			\|a 538.971:537.311.322:546.681'191.1(043.3)
100	1		\|a Бобровникова, Ирина Анатольевна. \|9 82593
245	1	0	\|a Закономерности легирования и формирования примесно-вакансионных комплексов в условиях газофазовой эпитаксии арсенида галлия \|b диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 \|c Бобровникова Ирина Анатольевна ; науч. рук. Лаврентьева Л. Г. ; Том. гос. ун-т
260			\|a Томск \|b [б. и.] \|c 1989 \|9 879361
300			\|a 206 л. \|b ил.
336			\|a Текст
337			\|a разные средства доступа
504			\|a Библиогр.: л. 167 - 199
506			\|a Доступ в сети ТГУ
650			\|a Физика полупроводников и диэлектриков \|2 nsnr \|9 56418
653			\|a диссертации
653			\|a арсенид галлия, эпитаксия
653			\|a эпитаксия газофазовая
653			\|a арсенид галлия, примеси
653			\|a арсенид галлия легированный
653			\|a комплексы внедрения, формирование
653			\|a примесные зоны полупроводников
653			\|a физика поверхности полупроводников
653			\|a полупроводники арсенидгаллиевые
710	2		\|a Томский государственный университет. \|9 53646
852	4		\|a RU-ToGU \|n ru
856	4		\|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000403598
856			\|y Перейти в каталог НБ ТГУ \|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=292932
942			\|2 udc
999			\|c 292932 \|d 292932
655		4	\|a диссертации \|9 879354
952			\|0 0 \|1 0 \|4 0 \|6 1698230К \|7 0 \|9 516496 \|a RU-ToGU \|c 10024 \|d 2021-04-04 \|o 1-698230к \|p 13820000743769 \|r 2021-04-04 \|y 1

Похожие документы