Закономерности легирования и формирования примесно-вакансионных комплексов в условиях газофазовой эпитаксии арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Закономерности легирования и формирования примесно-вакансионных комплексов в условиях газофазовой эпитаксии арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Библиографическая информация
Главный автор:	Бобровникова, Ирина Анатольевна
Соавтор:	Томский государственный университет
Формат:	Электронная книга
Язык:	Russian
Публикация:	Томск [б. и.] 1989
Предметы:	Физика полупроводников и диэлектриков диссертации арсенид галлия, эпитаксия эпитаксия газофазовая арсенид галлия, примеси арсенид галлия легированный комплексы внедрения, формирование примесные зоны полупроводников физика поверхности полупроводников полупроводники арсенидгаллиевые
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000403598 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Кинетика и механизм газофазовой эпитаксии полупроводников типа А III B Y (на примере арсенида галлия) диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : 01.04.10
по: Лаврентьева, Людмила Германовна 1931-2008
Публикация: (1981)

Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А3В5 диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : 01.04.07
по: Ивонин, Иван Варфоломеевич
Публикация: (1998)

Использование поверхности (311)B GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии сверхрешеток GaAs/AlAs

Модель зародышеобразования в гомоэпитаксии арсенида галлия из пучков As4 и Ga на As - стабилизированной поверхности (001)GaAs

Образование фазовых и структурно-примесных неоднородностей при газофазовой эпитаксии соединений AɪɪɪBv
по: Ивонин, Иван Варфоломеевич

Морфология поверхности эпитаксиальных слоев арсенида галия, выращенных на вициналях φ0(111)А и φ0(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Анисимова, Любовь Леонидовна

Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в A - и B - подрешетки арсенида галлия

Газофазовая эпитаксия арсенида галлия
по: Лаврентьева, Людмила Германовна 1931-2008

Электрические характеристики эпитаксиальных p-i-n структур из арсенида галия для детекторов ионизирующих излучений
по: Димеев, В. И.

Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами
Публикация: (2016)

Влияние эффектов захвата в детекторах из арсенида галлия на частотную зависимость выходного сигнала
по: Айзенштат, Геннадий Исаакович

Влияние механизма роста твердого раствора InGaAs при низкой температуре на процесс формирования нанокластеров в нем

Получение пленок GaAs на подложках из кремния и арсенида галлия в квазизамкнутом объеме

Optical and vibration properties of GaAs quantum wires grown with partial filling of corrugated (311) AlAs surfaces

Исследование полевых зависимостей дрейфовой скорости и дрейфовой длины электронов в компенсированном арсениде галлия
по: Симолин, А. А.

Исследование физико-химических закономерностей поведения арсенида галлия в водных растворах в связи с электроосаждением металлов и свойства контактов металл - арсенид галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук
по: Лаврищева, Ида Тимофеевна
Публикация: (1978)

Влияние плотности потока молекул As2 и As4 на свойства слоев нелегированного и легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах

Влияние реконструкции поверхности GaAs (001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии
по: Попова, А. В

Восьмая Российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, Томск 1-4 октября 2002 программа
Публикация: (2002)

Исследование структуры контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия
по: Литвинюк, О. В.

Исследование свойств арсенида галлия с примесью марганца

Энергетический спектр и электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs

Измерение удельного сопротивления высокоомных эпитаксиальных слоев арсенида галлия
по: Пономарев, Иван Викторович

Кинетика и механизм захвата примеси при газофазовой эпитаксии арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Торопов, Сергей Евгеньевич
Публикация: (1988)

Исследование влияния давления паров мышьяка на процесс диффузии хрома в арсениде галлия
по: Бурнашова, Г. Р.

Модификации амплитудных спектров в детекторных структурах из арсенида галлия
по: Лелеков, Михаил Александрович

Изучение процессов деградации излучающих р-п-переходов на основе твердого раствора GaAsIn-P

Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики р-???-п-структур на основе GaAs(Fe)

Механизм срыва обратной вольт-амперной характеристики р-???-п-структур на основе GaAs(Fe)
по: Гаман, Василий Иванович 1929-2021

Эффект фотонного увлечения в арсениде галлия, легированном глубокими примесями
по: Антонов, В. В.

Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers
Публикация: (2024)

Исследования оптических и фотоэлектрических свойств арсенида галлия, облученного электронами диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.05
по: Будницкий, Давыд Львович
Публикация: (1986)

Исследование электронных состояний в тройных квантовых ямах на основе GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения

Анизотропия легирования и электрофизические свойства автоэпитаксиального арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Катаев, Юрий Георгиевич
Публикация: (1972)

Исследование влияния состава среды на кинетику растворения арсенида галлия в неводных растворах брома и йода диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук
по: Ступина, Нина Михайловна
Публикация: (1973)

Эффект переключения в обратно смещенных ???-v-n-структурах на основе GaAs<Fe>
по: Гаман, Василий Иванович 1929-2021

Исследование диффузии хрома в арсениде галлия в потоке водорода
по: Прудаев, Илья Анатольевич

Анизотропия проводимости в δ-слоях кремния на вицинальных поверхностях GaAs (111)A и (111)B

Замедление преципитации мышьяка в присутствии фосфора в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре

Особенности вольт-амперных характеристик диодных структур на основе арсенида галлия, компенсированного примесями с глубокими уровнями
по: Гаман, Василий Иванович 1929-2021