Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN

Bibliographic Details
Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 3. С. 50-53
Main Author:	Брудный, Валентин Натанович
Corporate Author:	Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	нитрид галлия нитрид индия сапфиры эпитаксия дефекты решетки зарядовая нейтральность светодиодные гетероструктуры статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000477744 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Влияние жесткой радиации на электронные, оптические и рекомбинационные свойства соединений (Al, Ga, In)-P, (Al, Ga)-As и их твердых растворов
by: Брудный, Валентин Натанович

Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами

Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN

Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела
by: Брудный, Валентин Натанович

Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
by: Копьев, Виктор Васильевич

BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование
by: Брудный, Валентин Натанович

Электрофизические и физико-химические свойства омических контактов для соединений III-N

Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells

Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
by: Давыдов, Валерий Николаевич

Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Зарядовая нейтральность в полупроводниках: дефекты, границы раздела, поверхность
by: Брудный, Валентин Натанович

Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
by: Prudaev, Ilya A.

Generation of terahertz radiation in LED heterostructures with multiple InGaN/GaN quantum wells at two-photon excitation by femtosecond

Численное моделирование светодиодных структур на основе GaN/InGaN
by: Иванова, Елизавета Сергеевна

Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
by: Копьев, Виктор Васильевич

Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation

Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике ε-GaSe
by: Брудный, Валентин Натанович

Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках

Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN
by: Новиков, Вадим Александрович

Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока

Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

Электронная структура и уровень локальной электронейтральности политипов SiC из квазичастичных расчетов в рамках GW-приближения
by: Брудный, Валентин Натанович

Effect of the barrier thickness on the optical properties of InGaN/GaN/Al2O3 (0001) LED heterostructures

Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN

The surface roughening of GaN by wet chemical etching

Оптические функции и электронная структура гексагонального w-GaN
by: Стерхова, М. А.

Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN

Необратимый характер реакции осаждения GaN в хлорид-гидридном процессе

Сравнительный анализ падения эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при электрических и оптических условиях накачки
by: Копьев, Виктор Васильевич

Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Копьев, Виктор Васильевич
Published: (2019)