Chalcogene processing at forming rectifying contacts Ni-GaP n-type
Published in: | Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 133-136 |
---|---|
Other Authors: | Beznosyuk, S. A., Fomina, L. V., Privalov, A. V., Lebedenko, S. E. |
Format: | Book Chapter |
Language: | English |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Computer modelling of relaxation in nanolayer GaP-S-Ni contact
-
UV photodetectors based on wide-gap AlGaN semiconductors
by: Voytsekhovskiy, Alexander V. -
Локальные уровни собственных дефектов в GaP и ZnGeP2
by: Воеводин, Валерий Георгиевич - Эффективность встраивания фосфора из потока молекул P2 (P4) при молекулярно-лучевой эпитаксии GaP
-
Электрофизические свойства и чувствительность к всестороннему сжатию облученного электронами GaP
by: Брудный, Валентин Натанович