Введение в физику инжекционных лазеров

Введение в физику инжекционных лазеров

Bibliographic Details
Main Author:	Елисеев, Петр Георгиевич
Format:	Book
Language:	Russian
Published:	Москва Наука 1983
Subjects:	генераторы квантовые полупроводниковые лазеры инжекционные полупроводниковые резонаторы лазерные полупроводники оптическая модель. излучение в полупроводниках излучение вынужденное квантово-размерные эффекты инжекция. накачка лазеров электрическая распределение инжектированных носителей вольт-амперные характеристики. эффективность инжекции суперинжекция автомодуляционные явления пороговые характеристики. спектральные характеристики. мощность излучения.
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGan/Gan

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

Нелинейные свойства полупроводникового диода в импульсном режиме
by: Быков, Александр Геннадьевич

Температурные зависимости вольт-амперных характеристик GaAs:Cr-структур c различными контактами
by: Цуканов, Владимир Андреевич

Исследование фотоприемников ультрафиолетового диапазона на основе нитрида галлия

Динамика и спектры излучения полупроводниковых лазеров
by: Ривлин, Лев Абрамович
Published: (1983)

Лазерные источники излучения Каталог-справочник по странам СНГ и Балтии
Published: (2002)

Влияние методов обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенидгаллиевых сенсоров рентгеновского излучения

Полупроводниковые лазеры [учебное пособие для вузов по специальности "Радиофизика и электроника"]
by: Грибковский, Виктор Павлович 1932-
Published: (1988)

Влияние технологических факторов на параметры солнечных элементов

Исследование механизмов влияния пространственно неоднородных сильных электрических полей на характеристики диодов Ганна в широком диапазоне отношений поперечного размера на размер в направлении движения домена
by: Юрченко, Василий Иванович

Повышение эффективности излучения тонкопленочных лазеров на основе 1,4-дистирилбензола

Термостабильность МДП-конденсаторов на основе SiO2 и Si3N4
by: Олейник, Владимир Леонидович

Разработка и исследование методов измерения параметров структур, кристаллов и диодов Ганна, имеющих пространственно неоднородные характеристики с высоким отношением D/L поперечного размера D к продольному L

Низкотемпературные вольт-амперные характеристики AlGaInP светодиодов

Исследование ВАХ ЩГК в сверхсильных электрических полях
by: Еханин, С. Г.

Некоторые особенности вольт-амперной характеристики "коротких" диодов Ганна
by: Юрченко, Василий Иванович

Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах
by: Булярский, Сергей Викторович
Published: (1995)

Исследование влияния материала электродов сенсибилизированных солнечных элементов на емкостные и электрические характеристики

Природа "низкотемпературной аномалии" в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
by: Божков, Владимир Григорьевич

Особенности возбуждения лазеров на самоограниченных переходах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Тарасенко, Виктор Федотович
Published: (1975)

Влияние термообработки на электрические характеристики и эффективность сбора заряда сенсоров рентгеновского излучения на основе арсенида галлия, компенсированного хромом

Влияние электрического поля на процессы Г-Х рассеяния электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs(001)
by: Воронков, А. А.

Влияние обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых сенсоров рентгеновского излучения
by: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Исследование низкотемпературных электрических характеристик светодиодов из AlGaInP
by: Олейник, Владимир Леонидович

Исследование влияния размеров контактов на вольт-амперные характеристики GaAs<Cr> детекторов
by: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Влияние размеров контактов на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых детекторов, компенсированных хромом
by: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Влияние дефектов и примесей на спектры электролюминесценции и вольтамперные характеристики алмаза
by: Бородулин, Захар Игоревич

Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Физика лазеров [учебное пособие для вузов]
by: Кондиленко, Иван Иванович
Published: (1984)

Лабораторный практикум по физике лазеров учебное пособие
by: Гусев, Владимир Георгиевич физик
Published: (1992)

Закономерности развития винтовой неустойчивости в кремниевых осциллисторах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10
by: Дробот, Павел Николаевич
Published: (2004)

Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники учебное пособие : [для студентов старших курсов вузов по направлениям подготовки 03.03.03. - Радиофизика ; Физика, Электроника и наноэлектроника]
by: Гермогенов, Валерий Петрович
Published: (2015)

Полупроводниковые инжекционные лазеры. Динамика, модуляция, спектры
Published: (1990)

Исследование низкочастотных флуктуаций тока в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs в области низких температур
by: Филонов, Николай Григорьевич

Расчет электрических характеристик детекторных структур на основе арсенида галлия
by: Зенкова, Анастасия Дмитриевна

Ограничение тока в светодиодах на основе нитридов A3B5 при прямом смещении
by: Прудаев, Илья Анатольевич

Влияние конструкции активной области AlGaInP светодиодов на низкотемпературные вольт-амперные характеристики
by: Олейник, Владимир Леонидович