LEADER 02775nam a2200493 i 4500
001 vtls000417865
003 RU-ToGU
005 20230319190058.0
008 111212s1985 ru a f b 001 0 rus d
035 |a to000417865 
039 9 |a 201203132054  |c 201112120955  |d cat20  |y 201112120954  |z Александр Эльверович Гилязов 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
080 |a 537.311.322:548.4 
084 |a 539.219.1:538.91 
100 1 |a Бургуэн, Жак.  |9 180879 
245 1 0 |a Точечные дефекты в полупроводниках  |b экспериментальные аспекты  |c Ж. Бургуэн, М. Ланно ; пер. с англ. Ю. М. Гальперина [и др.] ; под ред. В. Л. Гуревича 
246 1 1 |a Point Defects in Semiconductors 
260 |a Москва  |b Мир  |c 1985  |9 716505 
300 |a 304 с.  |b ил. 
504 |a Библиогр.: с. 9, 289-297 
504 |a Предм. указ.: с. 298-300 
653 |a полупроводники 
653 |a дефекты точечные 
653 |a Яна-Теллера эффект 
653 |a электронный парамагнитный резонанс 
653 |a оптические свойства полупроводников 
653 |a генерация носителей тока 
653 |a регенерация носителей тока 
653 |a электрические свойства полупроводников 
653 |a фотовозбуждение полупроводников 
653 |a взаимодействие излучения с твердым телом 
653 |a отжиг дефектов полупроводников 
653 |a кристаллические решетки полупроводников 
653 |a туннельные состояния двухуровневые 
653 |a проводимость полупроводников 
653 |a взаимодействие дефектов полупроводников 
653 |a примесные центры полупроводников 
700 1 |a Ланно, Мишель.  |9 180878 
700 1 |a Гуревич, В. Л.  |4 edt  |9 172190 
852 4 |a RU-ToGU  |h 537  |i Б912  |n ru 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=307377 
999 |c 307377  |d 307377 
952 |0 0  |1 0  |4 0  |6 1598264К  |7 0  |9 538763  |a RU-ToGU  |b RU-ToGU  |c 10024  |d 2021-04-04  |g 2.70  |l 0  |o 1-598264к  |p 13820000783283  |r 2021-04-04  |w 2021-04-04  |y 1 
952 |0 0  |1 0  |4 0  |6 1589250  |7 0  |9 538764  |a RU-ToGU  |b RU-ToGU  |c 10024  |d 2021-04-04  |g 2.70  |l 0  |o 1-589250  |p 13820000783284  |r 2021-04-04  |w 2021-04-04  |y 4