Свойства монокристаллов селенида галлия, легированных изовалентными примесями
Published in: | Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 82-85 |
---|---|
Other Authors: | Воеводин, Валерий Георгиевич, Березная, Светлана Александровна, Коротченко, Зоя Владимировна, Малиновская, Татьяна Дмитриевна 1951-, Морозов, Александр Николаевич, Саркисов, Сергей Юрьевич, Сачкова, Е. И., Чернышов, Андрей Иванович |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Влияние легирования алюминием на оптические и электрофизические свойства селенида галлия
- Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на электрофизические и оптические свойства легированных и нелегированных кристаллов GaSe
- Алгоритм определения нелинейной восприимчивости легированных кристаллов GaSe в ТГц-диапазоне
- Doped GaSe crystals for laser frequency conversion
- GaSe:Er3+ crystals for SHG in the infrared spectral range