Открепление уровня Ферми в системе InAs-диэлектрик при пассивации границы раздела тонким фторированным анодным окислом

Bibliographic Details
Published in:	Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 156-159
Other Authors:	Валишева, Наталья Александровна, Гузев, Александр Александрович, Курышев, Георгий Леонидович
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	МДП-структуры полупроводники
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ


LEADER	01665naa a2200277 i 4500
001	vtls000418845
003	RU-ToGU
005	20210404141313.0
008	120109s2006 ru a f 100 0 rus d
035			\|a to000418845
039		9	\|y 201201090940 \|z Александр Эльверович Гилязов \|b Александр Эльверович Гилязов
040			\|a RU-ToGU \|b rus \|c RU-ToGU
080			\|a 537.311.322:546.681'191.1
080			\|a 621.315.592:546.681'191.1
245	1	0	\|a Открепление уровня Ферми в системе InAs-диэлектрик при пассивации границы раздела тонким фторированным анодным окислом \|c Н. А. Валишева, А. А. Гузев, Г. Л. Курышев и др.
504			\|a Библиогр.: 10 назв.
653			\|a МДП-структуры
653			\|a полупроводники
700	1		\|a Валишева, Наталья Александровна \|9 296636
700	1		\|a Гузев, Александр Александрович \|9 378927
700	1		\|a Курышев, Георгий Леонидович. \|9 378928
773	0		\|t Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции \|d Томск, 2006 \|g С. 156-159 \|w to000223791
852			\|a RU-ToGU
856			\|y Перейти в каталог НБ ТГУ \|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=308086
908			\|a статья
999			\|c 308086 \|d 308086

Similar Items