|
|
|
|
| LEADER |
01725naa a2200289 i 4500 |
| 001 |
vtls000418846 |
| 003 |
RU-ToGU |
| 005 |
20210404141313.0 |
| 008 |
120109s2006 ru a f 100 0 rus d |
| 035 |
|
|
|a to000418846
|
| 039 |
|
9 |
|y 201201090940
|z Александр Эльверович Гилязов
|b Александр Эльверович Гилязов
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 080 |
|
|
|a 537.311.322:546.681'191.1
|
| 080 |
|
|
|a 621.315.592:546.681'191.1
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Переход от As- к Ga - стабилизированной поверхности GaAs(001), индуцированный атомарным водородом
|c Д. А. Петухов, К. В. Торопецкий, О. Е. Терещенко, А. С. Терехов
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 9 назв.
|
| 653 |
|
|
|a полупроводниковые приборы
|
| 653 |
|
|
|a химическая обработка
|
| 700 |
1 |
|
|a Петухов, Д. А.
|9 378982
|
| 700 |
1 |
|
|a Торопецкий, Константин Викторович
|9 378983
|
| 700 |
1 |
|
|a Терещенко, Олег Евгеньевич
|9 86742
|
| 700 |
1 |
|
|a Терехов, Александр Сергеевич
|9 378984
|
| 773 |
0 |
|
|t Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции
|d Томск, 2006
|g С. 141-144
|w to000223791
|
| 852 |
|
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
|
|
|y Перейти в каталог НБ ТГУ
|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=308087
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 308087
|d 308087
|
