Переход от As- к Ga - стабилизированной поверхности GaAs(001), индуцированный атомарным водородом
Published in: | Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 141-144 |
---|---|
Other Authors: | Петухов, Д. А., Торопецкий, Константин Викторович, Терещенко, Олег Евгеньевич, Терехов, Александр Сергеевич |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Модель зародышеобразования в гомоэпитаксии арсенида галлия из пучков As4 и Ga на As - стабилизированной поверхности (001)GaAs
- Адсорбция цезия и хлора на Ga-стабилизированной ζ-GaAs(001)-(4x2) поверхности: первопринципный подход
-
Влияние реконструкции поверхности GaAs (001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии
by: Попова, А. В - Реконструкционный фазовый переход (2х4)α → (2х4)β на поверхности (001) GaAs, индуцированный адсорбцией тетрамера мышьяка
- Автоматизация вакуумной обработки GaAs фотокатодов в промышленной установке сборки приборов