Структурно-фазовые превращения поверхности GaAs(100) в процессе обработки в парах селена
Published in: | Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 168-170 |
---|---|
Other Authors: | Безрядин, Николай Николаевич, Домашевская, Эвелина Павловна, Смирнов, Ю. В. |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Исследование структуры собственного окисла на поверхности GaAs FTIR-методом
by: Еремина, Е. Л. - Исследование электрических характеристик GaAs-Ga2O3-структур
- Использование поверхности (311)B GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии сверхрешеток GaAs/AlAs
-
Enginering As nano-clusters in GaAs
by: Chaldyshev, Vladimir V. - Sensor properties of metal-Ga oxide-GaAs structures