Формирование GaAs/InGaAs микро- и нанооболочек с помощью зондовой литографии

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 341-344
Другие авторы: Принц, Александр Викторович, Мелконян, Ю. А., Селезнев, Владимир Александрович, Принц, Виктор Яковлевич
Формат: Статья в сборнике
Язык:Russian
Предметы:
Online-ссылка:Перейти в каталог НБ ТГУ
LEADER 01637naa a2200289 i 4500
001 vtls000418881
003 RU-ToGU
005 20210404141330.0
008 120109s2006 ru a f 100 0 rus d
035 |a to000418881 
039 9 |y 201201090953  |z Александр Эльверович Гилязов  |b Александр Эльверович Гилязов 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
080 |a 537.311.322:546.681'191.1 
080 |a 621.315.592:546.681'191.1 
245 1 0 |a Формирование GaAs/InGaAs микро- и нанооболочек с помощью зондовой литографии  |c А. В. Принц, Ю. А. Мелконян, В. А. Селезнев, В. Я. Принц 
504 |a Библиогр.: 4 назв. 
653 |a нанооболочки 
653 |a зондовая литография 
700 1 |a Принц, Александр Викторович  |9 379045 
700 1 |a Мелконян, Ю. А.  |9 379046 
700 1 |a Селезнев, Владимир Александрович  |9 379047 
700 1 |a Принц, Виктор Яковлевич.  |9 284036 
773 0 |t Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции  |d Томск, 2006  |g С. 341-344  |w to000223791 
852 |a RU-ToGU 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=308193 
908 |a статья 
999 |c 308193  |d 308193