Фотовольтаические детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиального GaAs, компенсированного хромом
Published in: | Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 485-488 |
---|---|
Other Authors: | Вилисова, Мария Дмитриевна, Гермогенов, Валерий Петрович, Другова, Е. П., Мокеев, Дмитрий Юрьевич, Пономарев, Иван Викторович, Пороховниченко, Лидия Петровна, Толбанов, Олег Петрович, Чубирко, Валентина Анатольевна |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Исследование детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия
-
Параметры детекторов из эпитаксиального GaAs, компенсированного хромом
by: Пономарев, Иван Викторович - Детекторы гамма-квантов на основе эпитаксиальных слоев GaAs:S,Cr
- Детекторы ядерных излучений на основе эпитаксиальных слоев AlGaAs
- Детекторы рентгеновского и γ-излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия