Фотоэлектрические характеристики монокристаллов высокоомного GaAs
Published in: | Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 70-73 |
---|---|
Other Authors: | Будницкий, Давыд Львович, Корецкая, Ольга Борисовна, Новиков, Вадим Александрович, Толбанов, Олег Петрович |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Оптические и фотоэлектрические характеристики высокоомного GaAs
by: Будницкий, Давыд Львович - Фотоэлектрические характеристики p-???-n-структур на основе GaAs(Fe)
- Фотоэлектрические характеристики детекторных структур на основе GaAs, компенсированного Cr
- Влияние типа подложки на фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/GaAs
-
Оптические и фотоэлектрические характеристики наногетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge
by: Турапин, Алексей Михайлович