Электрические свойства изотипных гетеропереходов, полученных методом лазерно-импульсного осаждения
Published in: | Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 164-167 |
---|---|
Other Authors: | Еремян, А. С., Авджян, К. Э., Хачатрян, А. М. |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS - GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Лупин, Владимир Михайлович
Published: (1974) -
Свойства гетероэпитаксиальных слоев германия и арсенида галлия и гетеропереходов на их основе диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Захаров, Иван Сафонович 1944-2010
Published: (1970) -
Некоторые свойства гетеропереходов ZnS - GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Кузнецов, М. Ф.
Published: (1969) -
Электрофизические характеристики GeSi/Si гетеропереходов
by: Несмелов, Сергей Николаевич -
Низкочастотный шум двухбарьерных квантовых гетеропереходов
by: Безруков, Р. В.