Эрозия мишени из GaAs при воздействи импульсного мощного ионного пучка

Эрозия мишени из GaAs при воздействи импульсного мощного ионного пучка

Bibliographic Details
Published in:	Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 277-280
Other Authors:	Ли Цзень Фень, Ремнев, Геннадий Ефимович, Салтымаков, М. С., Гусельников, В. И., Ивонин, Иван Варфоломеевич, Найден, Евгений Петрович 1940-2015
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	труды ученых ТГУ тонкие пленки полупроводниковые приборы
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка

Тонкопленочные просветвляющие покрытия на основе Ta2O5 для солнечных элементов на GaAs
by: Чистоедова, Инна Анатольевна

Влияние пассивности GaAs на морфологию поверхности диэлектрических слоев
by: Панин, Алексей Викторович

Вакуумная технология и оснастка Материалы международной конференции( г. Паневежис (Литва), 29-30 октября 1998)
Published: (1999)

Особенности фотоотражения в тонких пленках n-GaAs

The anomalous phenomena in thin InSb films as a way to make the effective semiconductor devices
by: Nikol'sky, Yu. A.

Структура границ раздела в тонких пленках
by: Попов, Е. О.

Получение свободных монокристаллических пленок в системе Bi-Ga-Al-As/GaAs
by: Оскомова, Н. В.

Газочувствительные сенсоры на основе пленок SnO2
by: Филонов, Николай Григорьевич

Структурные свойства тонких пленок GaAs1−yNy, полученных методом импульсного лазерного напыления
by: Девицкий, Олег Васильевич

Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"
Published: (1999)

Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Торхов, Николай Анатольевич
Published: (2007)

Особенности некоторых физических свойств GaAs при концентрации 10¹⁸ смˉ³. Возможное влияние АСД GaAs
by: Кухто, О. Л

Стабильность характеристик полупроводниковых сенсоров водорода при длительных испытаниях
by: Алмаев, Алексей Викторович

Влияние типа подложки на фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/GaAs

Исследование возможностей использования тонких магнитных пленок в управляемых СВЧ-фазовращателях диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Устименко, Геннадий Иванович
Published: (1975)

Тонкие пленки Ta2O5 для конденсаторов в интегральных схемах на арсениде галлия

Восьмая Российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, Томск 1-4 октября 2002 программа
Published: (2002)

Термодинамика антиструктурных дефектов в GaAs
by: Кухто, О. Л

Переход от As- к Ga - стабилизированной поверхности GaAs(001), индуцированный атомарным водородом

Ferromagnetic HfO2/Si/GaAs interface for spin-polarimetry applications

Газочуствительные свойства диэлектрических слоев на GaAs полученных термическим окислением в присутствии соединений - активаторов
by: Миттова, Ирина Яковлевна

Investigation on the microstructure, electrical and gas sensing properties of semiconducting metal oxide thin films deposited by advanced sputtering

Кривые ликвидуса и солидуса для GaAs. Определяющее влияние антиструктурных дефектов на стехиометрию GaAs
by: Кухто, О. Л

Эффективные источники поляризованных электронов на основе тонких напряженных слоев GaAsP

Влияние обработки в низкоэнергетической плазме CF4 и последующего отжига на образование дефектов в псевдоморфных GaAs/AlGaAs/InGaAs/GaAs гетерострукткрах для мощных сверхвысокочастотных транзисторов

Диффузное легирование GaAs примесью хлора
by: Хлудков, Станислав Степанович

Statistical regularities of the dislocation structure formation in GaAs crystals grown by the LEC method

Nanomaterials from research to applications
Published: (2007)

Масс-спектрометрический метод определения следов

Полупроводниковые сенсоры насыщенных паров взрывчатых веществ и мультисенсорные системы на их основе

Анализ гомоэпитаксиального роста тонких пленок кремния на сверхструктурах 1х2 и 2х1 методом дифракции быстрых электронов

Автоматизация вакуумной обработки GaAs фотокатодов в промышленной установке сборки приборов

Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V"(3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) материалы конференции
Published: (2006)

Характеристики тонких пленок Pt/SnO2:Sb в режиме импульсного нагрева при воздействии ряда восстановительных газов

Исследование электронных процессов в GaAs детекторах
by: Айзенштат, Геннадий Исаакович

Свойства структур Ga2O3–GaAs в видимом и УФ-диапазонах

Упорядочение латеральной неоднородности в контакте TiBx-GaAs

Газочувствительные свойства тонкопленочных материалов на основе систем оксидов D-металлов и кремния
by: Бричков, Антон Сергеевич

Исследование начальных стадий формирования тонких пленок при кристаллизации из молекулярного пучка
by: Филимонов, Сергей Николаевич