Ir reflection spektra of multilayered epitaxial heterostructures with embedded nanolayers GaAs and InAs

Bibliographic Details
Published in:	Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 285-288
Other Authors:	Domashevskaya, E. P., Seredin, P. V., Lukin, A. N.
Format:	Book Chapter
Language:	English
Subjects:	гетероструктуры наноструктуры эпитаксиальные слои
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ


LEADER	01462naa a2200289 i 4500
001	vtls000418768
003	RU-ToGU
005	20210404141359.0
008	120109s2006 ru a f 100 0 eng d
035			\|a to000418768
039		9	\|y 201201090909 \|z Александр Эльверович Гилязов \|b Александр Эльверович Гилязов
040			\|a RU-ToGU \|b rus \|c RU-ToGU
080			\|a 537.311.322:546.681'191.1
080			\|a 621.315.592:546.681'191.1
245	1	0	\|a Ir reflection spektra of multilayered epitaxial heterostructures with embedded nanolayers GaAs and InAs \|c E. P. Domashevskaya, P. V. Seredin, A. N. Lukin [et.al.]
504			\|a Библиогр.: 4 назв.
653			\|a гетероструктуры
653			\|a наноструктуры
653			\|a эпитаксиальные слои
700	1		\|a Domashevskaya, E. P. \|9 379168
700	1		\|a Seredin, P. V. \|9 379169
700	1		\|a Lukin, A. N. \|9 379170
773	0		\|t Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции \|d Томск, 2006 \|g С. 285-288 \|w to000223791
852			\|a RU-ToGU
856			\|y Перейти в каталог НБ ТГУ \|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=308356
908			\|a статья
999			\|c 308356 \|d 308356

Similar Items