Ir reflection spektra of multilayered epitaxial heterostructures with embedded nanolayers GaAs and InAs
Published in: | Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 285-288 |
---|---|
Other Authors: | Domashevskaya, E. P., Seredin, P. V., Lukin, A. N. |
Format: | Book Chapter |
Language: | English |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Modification of electrophysical parameters of HgCdTe epitaxial heterostructures under the action of a pulsed nanosecond discharge in gas environment at atmospheric-pressure
-
Гетероструктура ZnS - GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Атакова, М. М.
Published: (1974) -
"Сверхрешетчатая" модель плавной гетерограницы GaAs/AlAs (001)
by: Караваев, Геннадий Федорович - Фотолюминесценция двухслойных InAs/ GaAs наноструктур под действием гидростатического давления
-
Исследование влияния режимов выращивания и легирования активной области Ик-диодов на основе GaAs(Si) на эффективность излучения
by: Гущин, Сергей Михайлович