Исследования газового травления подложек GaAs при гетероэпитаксии InP/GaAs
Published in: | Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 263-265 |
---|---|
Main Author: | Козлов, С. А. |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Начальные стадии роста и механизм образования переходных слоев при гетероэпитаксии InP на GaAs
by: Субач, Сергей Владимирович -
Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Субач, Сергей Владимирович
Published: (2001) -
Enginering As nano-clusters in GaAs
by: Chaldyshev, Vladimir V. -
Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP
by: Dargys, Adolfas
Published: (1994) - Карбид кремния на кремнии (110): структура поверхности и механизмы эпитаксиального роста