Комплексная система обработки дифракционных картин в ДБЭО

Комплексная система обработки дифракционных картин в ДБЭО

Bibliographic Details
Published in:	Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 260-262
Other Authors:	Дмитриев, Дмитрий Владимирович физик, Мансуров, Владимир Геннадьевич, Колосовский, Евгений Анатольевич
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	дифракция быстрых электронов молекулярно-лучевая эпитаксия видеосистемы
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)
by: Кукенов, Олжас Игоревич

Анализ дифракционных картин при эпитаксиальном росте Si на Si(001) в направлениях пучка электронов [110] и [100]

Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Есин, Михаил Юрьевич

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)
by: Ворсин, Олег Игоревич

Анализ дифракционных картин при синтезе наногетероструктур Ge/Si

Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов
by: Кукенов, Олжас Игоревич

МЛЭ нанокластеры GE на поверхности Si(100). Картины ДБЭ и АСМ-изображения
by: Торопов, Никита Александрович

Влияние электронного пучка дифракции быстрых электронов на морфологию поверхности гетероструктур CaF2/Si(100)
by: Остертак, Д. И.

Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge

Peculiarities of the 7 × 7 to 5 × 5 superstructure transition during epitaxial growth of germanium on silicon (111) surface

Investigation of the bimodal character of RHEED intensity oscillations during homoepitaxial growth of Si/Si(100)
by: Sokolov, А. S.

Controlling of Ge quantum dots arrays parameters in Ge/Si nanoheterostructures grown by molecular beam epitaxy method

Использование формализма матриц рассеяния в расчетах осцилляций зеркального рефлекса в дифракции на отражение при МЛЭ

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
by: Дирко, Владимир Владиславович
Published: (2022)

Electron concentration in the near-surface graded-gap layer of MBE n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.40) determined from the capacitance measurements of MIS-structures

Применение метода дифракции быстрых отраженных электронов при молекулярно-лучевой эпитаксии учебно-методическое пособие : для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов
Published: (2023)

Dispersive optical parameters of Ni(100) crystal and thermally evaporated nickel films

Influence of the preliminary annealing conditions on step motion at the homoepitaxy on the Si(100) surface

Динамика сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур по Странскому-Крастанову

Концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40), определенная из емкостных измерений МДП-структур

Контроль эпитаксиального роста тонких пленок кремния и германия методами дифракции электронов и кварцевым измерителем толщины
by: Заяханов, Владимир Александрович

Исследование эпитаксиального роста тонких пленок кремния и германия методами дифракции электронов и с помощью кварцевого измерителя толщины
by: Дирко, Владимир Владиславович

Электрические и оптические свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах

Делокализация фонон-плазмонных мод в сверхрешетках GaAs/AlAs с тунельно-тонкими барьерами AlAs
by: Володин, Владимир Алексеевич

Выращивание твердых растворов GaPxAs1-x методом молекулярно-лучевой эпитаксии: механизм формирования состава в подрешетке V группы

Влияние элементов состава в подрешетке III группы на встраивание мышьяка и фосфора при МЛЭ твердых растворов (AIII)PxAs1-x

Совершенствование технологии синтеза гетероструктур Si/Ge c квантовыми точками Ge методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Пищагин, Антон Александрович

Elastically stressed pseudomorphic SiSn island array formation with a pedestal on the Si(1 0 0) substrate using Sn as a growth catalyst

Direct measurement of surface stress during Bi-mediated Ge growth on Si

Effect of a boron implantation on the electrical properties of epitaxial HgCdTe with different material composition

Formation of Ge/Si nanoscale structures at different growth conditions by molecular beam epitaxy

Замедление преципитации мышьяка в присутствии фосфора в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре

Исследование влияния основных параметров эпитаксиального роста на свойства гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
by: Серохвостов, Вячеслав Юрьевич

Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках

Temperature and field dependences of parameters of the equivalent circuit elements of MIS structures based on MBE n-Hg0.775Cd0.225Te in the strong inversion mode
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Comparison of background donor concentration in HgCdTe grown with different technologies

Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста

Влияние высокочастотного наносекундного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок КРТ
by: Ермаченков, Павел Андреевич