Многослойные гетероструктуры AIN/AlGaN/GaN/AlGaN с квантовыми ямами для мощных полевых СВЧ-транзисторов

Bibliographic Details
Published in:	Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 273-276
Other Authors:	Алексеев, А. Н., Александров, С. Б., Бырназ, А. Э.
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	СВЧ-транзисторы гетероструктуры
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ


LEADER	01549naa a2200277 i 4500
001	vtls000418824
003	RU-ToGU
005	20210404141431.0
008	120109s2006 ru a f 100 0 rus d
035			\|a to000418824
039		9	\|y 201201090933 \|z Александр Эльверович Гилязов \|b Александр Эльверович Гилязов
040			\|a RU-ToGU \|b rus \|c RU-ToGU
080			\|a 537.311.322:546.681'191.1
080			\|a 621.315.592:546.681'191.1
245	1	0	\|a Многослойные гетероструктуры AIN/AlGaN/GaN/AlGaN с квантовыми ямами для мощных полевых СВЧ-транзисторов \|c А. Н. Алексеев, С. Б. Александров, А. Э. Бырназ и др.
504			\|a Библиогр.: 10 назв.
653			\|a СВЧ-транзисторы
653			\|a гетероструктуры
700	1		\|a Алексеев, А. Н. \|9 129785
700	1		\|a Александров, С. Б. \|9 379310
700	1		\|a Бырназ, А. Э. \|9 379311
773	0		\|t Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции \|d Томск, 2006 \|g С. 273-276 \|w to000223791
852			\|a RU-ToGU
856			\|y Перейти в каталог НБ ТГУ \|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=308576
908			\|a статья
999			\|c 308576 \|d 308576

Similar Items