Многослойные гетероструктуры AIN/AlGaN/GaN/AlGaN с квантовыми ямами для мощных полевых СВЧ-транзисторов

Многослойные гетероструктуры AIN/AlGaN/GaN/AlGaN с квантовыми ямами для мощных полевых СВЧ-транзисторов

Bibliographic Details
Published in:	Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 273-276
Other Authors:	Алексеев, А. Н., Александров, С. Б., Бырназ, А. Э.
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	СВЧ-транзисторы гетероструктуры
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Кинетика фотолюминесценции двумерного электронного газа в гетероструктуре GaN/AlGaN
by: Коржавина, Н. С.

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures

Самосогласованный расчет туннельного тока в нитридных структурах GaN/AlGaN(0001)
by: Разжувалов, Александр Николаевич

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Модель гистерезиса туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w- GaN/AlGaN(0001)
by: Разжувалов, Александр Николаевич

Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD
by: Курчин, Константин Николаевич

Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
by: Давыдов, Валерий Николаевич

Радиационно-стимулированное и микроволновое геттерирование в НЕМТ на основе AlGaN/GaN и AlGaAs/GaAs гетероструктур

Научно-технологические проблемы создания полупроводниковых приборов нового поколения на гетероструктурах типа AlGaN/GaN

UV photodetectors based on wide-gap AlGaN semiconductors
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Фотолюминесценция структур с GaN квантовыми точками в матрице AlN
by: Ри, Д. Д.

Пьезоэлектрическая релаксация двумерного электронного газа в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN
by: Бурмистров, Евгений Романович

Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C
by: Романов, Иван Сергеевич

Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
by: Бурмистров, Евгений Романович

InAlN/GaN HEMT-транзистор гигагерцового диапазона
by: Брудный, Павел Александрович

Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Плазменное травление в технологии InAlN/GaN HEMT

Плазменное травление в технологии InAlN/GaN HEMT

Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN

Features of radiation changes in electrical properties of InAlN/GaN HEMTs

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
by: Брудный, Валентин Натанович

Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами

Численное моделирование светодиодных структур на основе GaN/InGaN
by: Иванова, Елизавета Сергеевна

BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование
by: Брудный, Валентин Натанович

Diffusion of magnesium in LED structures with InGaN/GaN quantum wells at true growth temperatures 860-980°C of p-GaN
by: Romanov, I. S.

Effect of the barrier thickness on the optical properties of InGaN/GaN/Al2O3 (0001) LED heterostructures

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

Поляризационные свойства MQW-гетероструктур из InGaN/GaN при нагреве
by: Давыдов, Валерий Николаевич

Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
by: Копьев, Виктор Васильевич

Электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-TiO2/n-GaP
by: Брус, Виктор Васильевич

Влияние эффектов размерного квантования на эффективную массу основных носителей заряда в светодиодных гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
by: Бурмистров, Евгений Романович

GaN-Based Laser Diodes Towards Longer Wavelengths and Short Pulses /
by: Scheibenzuber, Wolfgang G.
Published: (2012)

Особенности энергетического спектра электронов гексагонального GaN и его твердых растворов YxGa1-xN (Y ≡ B, Al, In)
by: Литинский, Аркадий Овсеевич

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

GaN and ZnO-based Materials and Devices
Published: (2012)

The surface roughening of GaN by wet chemical etching

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells