Многоэлементные фотоприемные устройства и приборы на основе МДП-структур на InAs
Published in: | Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 412-415 |
---|---|
Main Author: | Курышев, Георгий Леонидович |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Иммерсионные фотодиоды на основе арсенида индия, работающие при комнатной температуре
-
Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона
Published: (2001) -
Фотоэлектрические МДП-приборы
by: Зуев, Владимир Алексеевич
Published: (1983) - Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса
-
Определение параметров индия при гибридизации матричных фотоприемных устройств на основе InAs, GaAs/AlGaAs, GaAs/HgCdTe
by: Ефимов, Валерий Михайлович